„ Dies ist ein perfektes Beispiel für eine erfolgreiche Zusammenarbeit von Industrie und Universität, aus der ein Ergebnis von Weltklasse hervorgegangen ist . “
Der Prototyp des ADCs wurde in einem 32 Nanometer silicon-on-insulator CMOS-Prozess auf einer Fläche von nur 22 × 70 µm2 hergestellt.
Er generiert eine Milliarde Analog-Digital-Umwandlungen pro Sekunde und läuft bei einer Spannung von nur 1V und einer Leistungsaufnahme von 3.1 mW — dies ist schätzungsweise 30-mal weniger als ein Mobiltelefon im Ruhezustand verbraucht.
www.zurich.ibm.com“ It is a perfect example of successful industry-university cooperation, having produced world-class results . ”
The prototype ADC was manufactured at IBM ’ s 300 mm fab in East Fishkill, NY in a 32 nanometer silicon-on-insulator CMOS process with a tiny core area of 22 × 70 µm2.
The ADC generates one billion analog-to-digital conversions per second operating from a single 1 V supply, with a total power consumption of 3.1 mW — approximately 30 times less than what a cellphone uses when it ’ s idle.
www.zurich.ibm.comSOI Technologie
Wir sind auch an der Entwicklung von Detektoren in Silicon-on-Insulator-Technologie beteiligt.
Diese hochinteressante Technologie wird vom japanischen Chiphersteller LAPIS Semiconductor, dem Forschungszentrum KEK und anderen Forschungsinstituten entwickelt.
sus.ziti.uni-heidelberg.dePixel detectors in SOI technology for FEL- and synchrotron-applications
We are involved in the development of the detectors in SOI technology.
This interesting technology has been developed by the institute KEK ( Japan ), the Japanese microchip foundry LAPIS ( formerly OKI ) Semiconductor and another research institutes; it allows for implementation of CMOS circuits on a fully depleted substrate.
sus.ziti.uni-heidelberg.deEin vereinfachtes Strukturschema via Elektronenstrahllithographie und Hochtechnologie-Trockenätzp... zeigen Strukturen mit großen Aspektverhältnissen in hohen Packungsdichten.
Der verwendete Kondensatorstapel basiert auf dabei einer Metal-Insulator-Metall-(MIM)-Struktur mit Al-dotiertem ZrO2 als Dielektrikum und TiN-Elektroden.
Alle Materialien werden durch Atomlagenabscheidung abgetragen um eine hoch konforme Kantenbedeckung in großen Aspektverhältnisstrukturen zu erreichen (Abb. 1c).
www.ipms.fraunhofer.deA simplified patterning scheme using e-beam lithography and high technology dry etch processes provides structures with large aspect ratio in a high package density ( Figure 1a and 1b ).
The used capacitor stack is based on a metalinsulator-metal (MIM) structure built from Al-doped ZrO2 as dielectric and TiN electrodes.
All materials are deposited by atomic layer deposition to reach highly conformal step coverage in the large aspect ratio structures (Figure 1c).
www.ipms.fraunhofer.deVoulez-vous ajouter des mots, des phrases ou des traductions ?
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